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CRYSTAL 40.0000MHZ 7PF SMD
XTAL OSC XO 6.0000MHZ HCMOS SMD
XTAL OSC XO 250.0000MHZ HCSL
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA
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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tape & Reel (TR) |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | DRAM |
| 技术: | SDRAM - DDR |
| 内存大小: | 256Mb (16M x 16) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 200 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 15ns |
| 访问时间: | 700 ps |
| 电压 - 电源: | 2.3V ~ 2.7V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 60-TFBGA |
| 供应商设备包: | 60-TFBGA (8x13) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
R1LV0208BSA-5SI#B1Renesas Electronics America |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32STSOP |
|
25LC080A-I/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ 8SOIC |
|
W987D6HBGX6IWinbond Electronics Corporation |
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA |
|
M95160-RMN6TPSTMicroelectronics |
IC EEPROM 16KBIT SPI 10MHZ 8SO |
|
GS82582DT19GE-450IGSI Technology |
IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA |
|
IS43R16800E-6TL-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II |
|
24AA08T-I/MCRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8DFN |
|
AS6C62256-55STINAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28STSOP |
|
IS49RL18320-093BLISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA |
|
MTFC8GAMALBH-AATMicron Technology |
IC FLASH 64GBIT MMC 153TFBGA |
|
S25FL256LDPMFB003Cypress Semiconductor |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
|
71256L35DBRenesas Electronics America |
IC SRAM 256KBIT PAR 28CERDIP |
|
93LC46B-I/PRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8DIP |