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IC BATT MON MULT-CHEM 1C SOT23-8
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
HSI NARROW
PHOTOELECTRIC SENSOR; TIME-OF-FL
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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | Automotive, AEC-Q100, FL-L |
| 包裹: | Tape & Reel (TR) |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | FLASH |
| 技术: | FLASH - NOR |
| 内存大小: | 256Mb (32M x 8) |
| 内存接口: | SPI - Quad I/O, QPI |
| 时钟频率: | 66 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| 供应商设备包: | 16-SOIC |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
71256L35DBRenesas Electronics America |
IC SRAM 256KBIT PAR 28CERDIP |
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93LC46B-I/PRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8DIP |
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CAT24M01YI-GT3JNSanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8TSSOP |
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25C320-E/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 32KBIT SPI 3MHZ 8SOIC |
|
70V7319S200BC8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
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CY7C199CN-15ZXCRochester Electronics |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
|
MX25L51245GML-10GMacronix |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOP |
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CY7C1318CV18-250BZCRochester Electronics |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
MX25V8006EM1I-13GMacronix |
IC FLASH 8MBIT SPI 75MHZ 8SOP |
|
SST25PF020B-80-4C-SAE-TRoving Networks / Microchip Technology |
IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC |
|
CY62148G30-45ZSXITCypress Semiconductor |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II |
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71V67602S166BQGRochester Electronics |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA |
|
MX29LV320ETXEI-70GMacronix |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48LFBGA |