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TSM120N10PQ56 RLG

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零件编号 :

TSM120N10PQ56 RLG

制造商
TSC (Taiwan Semiconductor)
描述
MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
077307 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 10 - Nov 14 2025
PDF格式
TSM120N10PQ56 RLG PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):100 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:58A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:12mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:145 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:3902 pF @ 30 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:36W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:8-PDFN (5x6)
包/箱:8-PowerTDFN
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