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IRF5803D2PBF

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零件编号 :: IRF5803D2PBF

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 382038 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Oct 30 - Nov 03 2025

PDF格式: IRF5803D2PBF PDF

类型	描述
系列:	FETKY™
包裹:	Tube
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	40 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	3.4A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	112mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	3V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	37 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1110 pF @ 25 V
场效应管特征:	Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）:	2W (Ta)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	8-SO
包/箱:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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