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TSM60N600CH C5G

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零件编号 :

TSM60N600CH C5G

制造商
TSC (Taiwan Semiconductor)
描述
MOSFET N-CHANNEL 600V 8A TO251
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
023802 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Oct 27 - Oct 31 2025
PDF格式
TSM60N600CH C5G PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Not For New Designs
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:8A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:600mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 10 V
vgs (最大值):±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:743 pF @ 100 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:83W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
供应商设备包:TO-251 (IPAK)
包/箱:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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