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MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3

FDN360P-NBGT003B

FDN360P-NBGT003B

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零件编号 :

FDN360P-NBGT003B

制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
338833 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Oct 25 - Oct 29 2025
类型 描述
系列:PowerTrench®
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Obsolete
场效应管类型:P-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:2A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:80mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:3V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:9 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:298 pF @ 15 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:500mW (Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:SOT-23-3
包/箱:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN360P-NBGT003B 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 FDN360P-NBGT003B 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为FDN360P-NBGT003B 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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