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CSD25304W1015T

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零件编号 :: CSD25304W1015T

制造商: Texas Instruments

描述: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 12396 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Oct 25 - Oct 29 2025

类型	描述
系列:	NexFET™
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	3A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1.15V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	4.4 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):	±8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	595 pF @ 10 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	750mW (Ta)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	6-DSBGA
包/箱:	6-UFBGA, DSBGA

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