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FDMB668P

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零件编号 :: FDMB668P

制造商: Rochester Electronics

描述: MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 10643 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Oct 27 - Oct 31 2025

PDF格式: FDMB668P PDF

类型	描述
系列:	PowerTrench®
包裹:	Bulk
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	6.1A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	35mOhm @ 6.1A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	59 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	2.085 pF @ 10 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	1.9W (Ta)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	8-MLP, MicroFET (3x1.9)
包/箱:	8-PowerWDFN

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