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MT47H512M4THN-25E:M

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IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA

MT47H512M4THN-25E:M

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零件编号 :

MT47H512M4THN-25E:M

制造商
Micron Technology
描述
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
目录
记忆
可用性
938893 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 18 - Nov 22 2025
PDF格式
MT47H512M4THN-25E:M PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tray
零件状态:Obsolete
内存类型:Volatile
内存格式:DRAM
技术:SDRAM - DDR2
内存大小:2Gb (512M x 4)
内存接口:Parallel
时钟频率:400 MHz
写周期时间 - 字，页:15ns
访问时间:400 ps
电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V
工作温度:0°C ~ 85°C (TC)
安装类型:Surface Mount
包/箱:63-TFBGA
供应商设备包:63-FBGA (8x10)
MT47H512M4THN-25E:M 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 MT47H512M4THN-25E:M 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为MT47H512M4THN-25E:M 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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