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MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
IC REG LINEAR POS ADJ 1A 10DFN
IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ DIE
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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 1Kb (64 x 16) |
| 内存接口: | SPI |
| 时钟频率: | 2 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 2ms |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | Die |
| 供应商设备包: | Die |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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EDF840AAABH-GD-F-DMicron Technology |
LPDDR3 256MX32 PLASTIC GREEN LFB |
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IDT71T016SA12BFIRenesas Electronics America |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48CABGA |
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7134LA35JIRenesas Electronics America |
IC SRAM 32KBIT PARALLEL 52PLCC |
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M29W200BB70M1STMicroelectronics |
IC FLASH 2MBIT PARALLEL 44SO |
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7007L55J8Renesas Electronics America |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 68PLCC |
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S99PL127J0170Cypress Semiconductor |
IC FLASH MEM NOR 64FBGA |
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DS28E01P-W0V+1TMaxim Integrated |
IC EEPROM 1KB DFN |
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MT29F256G08CMEDBJ5-12:D TRMicron Technology |
IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA |
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25CS640T-I/STRoving Networks / Microchip Technology |
IC MEMORY EEPROM 64MB SPI |
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S29PL127J60BAI000ECypress Semiconductor |
IC FLASH NOR 80FBGA |
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MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2Micron Technology |
IC FLASH 8G DDR2 |
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MT46H256M32L4JV-6 IT:AMicron Technology |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168VFBGA |
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MT53B2DBNP-DC TRMicron Technology |
IC DRAM 12GBIT 200WFBGA |