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MEMS OSC XO 212.5000MHZ LVCMOS
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC
BIP PNP 0.1A 50V
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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 256Kb (32K x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 5ms |
| 访问时间: | 90 ns |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 32-LCC (J-Lead) |
| 供应商设备包: | 32-PLCC (11.43x13.97) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
W25X40BVSSIGWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 4MBIT SPI 104MHZ 8SOIC |
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AT28BV256-20TIRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 256KBIT PAR 28TSOP |
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CY14MB064Q1B-SXITCypress Semiconductor |
IC NVSRAM 64KBIT SPI 40MHZ 8SOIC |
|
CY7C1313SV18-250BZCCypress Semiconductor |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
23LCV512T-E/STRoving Networks / Microchip Technology |
IC SRAM 512KBIT SPI/DL 8TSSOP |
|
W972GG6JB-3IWinbond Electronics Corporation |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA |
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CY7C1020CV33-10ZXCTCypress Semiconductor |
IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II |
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IDT71V2559S85PF8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
MT29F128G08CKCCBH2-12:CMicron Technology |
IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA |
|
CYDM128B16-40BVXICypress Semiconductor |
IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA |
|
70V261S25PFRenesas Electronics America |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP |
|
S29GL032N90FFIS33Cypress Semiconductor |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 64FBGA |
|
MTFC4GLDDQ-4M ITMicron Technology |
IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA |