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IDT6116LA35TPG

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IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP

GP3D010A120U

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DIODE SILICON CARBIDE

IDT6116LA35TPG

IDT6116LA35TPG

图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

IDT6116LA35TPG

制造商
Renesas Electronics America
描述
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP
目录
记忆
可用性
492049 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Oct 03 - Oct 07 2025
PDF格式
IDT6116LA35TPG PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Obsolete
内存类型:Volatile
内存格式:SRAM
技术:SRAM - Asynchronous
内存大小:16Kb (2K x 8)
内存接口:Parallel
时钟频率:-
写周期时间 - 字,页:35ns
访问时间:35 ns
电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V
工作温度:0°C ~ 70°C (TA)
安装类型:Through Hole
包/箱:24-DIP (0.300", 7.62mm)
供应商设备包:24-PDIP
IDT6116LA35TPG 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 IDT6116LA35TPG 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为IDT6116LA35TPG 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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