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XTAL OSC VCXO 80.0000MHZ LVDS
IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
EFR32FG14 2400/915 MHZ 19 DBM RA
800MMW X 42 RU X 1219MMD N TYPE,
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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | NVSRAM |
| 技术: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 内存大小: | 256Kb (32K x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 150ns |
| 访问时间: | 150 ns |
| 电压 - 电源: | 3V ~ 3.6V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 34-PowerCap™ Module |
| 供应商设备包: | 34-PowerCap Module |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
S29GL01GS10DHSS23Cypress Semiconductor |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA |
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70V3579S5BC8Renesas Electronics America |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA |
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S25FL128SAGNFI011Cypress Semiconductor |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON |
|
71V3576S133PFGIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
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70T3519S200BCRenesas Electronics America |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA |
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24AA256T-I/STRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOP |
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25LC128X-I/STRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 128KBIT SPI 8TSSOP |
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CY27C512-200PCRochester Electronics |
OTP ROM, 64KX8, 200NS PDIP28 |
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IS42S86400F-7TLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II |
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GVT71256G18T-5TRochester Electronics |
SRAM 4M-BIT 256K X 16 |
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CY7C1911KV18-300BZXCRochester Electronics |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
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S25FL116K0XMFI040Flip Electronics |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
|
7164S35YGIRochester Electronics |
SRAM 64K (8K X 8-BIT) |