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IC REG LINEAR 2.2V 150MA SOT23
IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
SWITCH TOGGLE DPDT 5A 120V
RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY
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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | NVSRAM |
| 技术: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 内存大小: | 4Mb (512K x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 70ns |
| 访问时间: | 70 ns |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 34-PowerCap™ Module |
| 供应商设备包: | 34-PowerCap Module |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
S29GL064N90BFI040Cypress Semiconductor |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA |
|
AF016GEC5A-2001A3ATP Electronics, Inc. |
IC 16GBIT 153BGA |
|
24FC16T-I/OTRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT I2C SOT23-5 |
|
AT28HC256-90FM/883Roving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 256KBIT PAR 28FLATPK |
|
25LC256-E/SMRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 256KBIT SPI 8SOIJ |
|
IS61NVP25636A-200TQLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
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CY14B101LA-ZS25XIRochester Electronics |
IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II |
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71V25761S200BGRochester Electronics |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA |
|
47L16T-E/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EERAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
|
71V35761SA183BGRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA |
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FEMC004GTTE7-T13-17Flexxon |
IC FLASH 32GBIT EMMC 100FBGA |
|
CAT25C256XI-TE13Rochester Electronics |
IC EEPROM 256KBIT SPI 5MHZ 8SOIC |
|
FM24C05UVMT8XRochester Electronics |
IC EEPROM 4KBIT I2C 8TSSOP |