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PMBFJ110,215

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零件编号 :: PMBFJ110,215

制造商: Rochester Electronics

描述: PMBFJ110 - N-CHANNEL FET

可用性: 906790 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 09 - Nov 13 2025

PDF格式: PMBFJ110,215 PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
电压 - 击穿 (v(br)gss):	25 V
漏源电压 (vdss):	25 V
电流 - 漏极 (idss) @ vds (vgs=0):	10 mA @ 15 V
电流消耗 (id) - 最大值:	-
电压 - 截止 (vgs off) @ id:	4 V @ 1 µA
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	30pF @ 10V (VGS)
电阻 - rds(on):	18 Ohms
功率 - 最大值:	250 mW
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包:	SOT-23 (TO-236AB)

PMBFJ110,215 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 PMBFJ110,215 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为PMBFJ110,215 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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