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IAUC120N04S6N006ATMA1

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零件编号 :: IAUC120N04S6N006ATMA1

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: IAUC120N04S6N006ATMA1

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 765876 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 01 - Nov 05 2025

类型	描述
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	40 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	120A (Tj)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	7V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	600µOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	3V @ 130µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	151 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	10117 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	187W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	PG-TDSON-8-53
包/箱:	8-PowerTDFN

IAUC120N04S6N006ATMA1 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 IAUC120N04S6N006ATMA1 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为IAUC120N04S6N006ATMA1 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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