IPBE65R190CFD7AATMA1

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零件编号 :: IPBE65R190CFD7AATMA1

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET N-CH 650V 14A TO263-7

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 605460 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Oct 26 - Oct 30 2025

类型	描述
系列:	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	650 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	14A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	-
rds on (max) @ id, vgs:	190mOhm @ 6.4A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	4.5V @ 320µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	7 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1291 pF @ 400 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	77W (Tc)
工作温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	PG-TO263-7
包/箱:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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