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PHP119NQ06T,127

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零件编号 :: PHP119NQ06T,127

制造商: NXP Semiconductors

描述: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 196319 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 08 - Nov 12 2025

PDF格式: PHP119NQ06T,127 PDF

类型	描述
系列:	TrenchMOS™
包裹:	Tube
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	55 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	75A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	7.1mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	4V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	53 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	2820 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	200W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	TO-220AB
包/箱:	TO-220-3

PHP119NQ06T,127 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 PHP119NQ06T,127 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为PHP119NQ06T,127 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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