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IRFH5220TRPBF

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零件编号 :: IRFH5220TRPBF

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFN

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 114811 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 10 - Nov 14 2025

PDF格式: IRFH5220TRPBF PDF

类型	描述
系列:	HEXFET®
包裹:	Tape & Reel (TR)
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	200 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	3.8A (Ta), 20A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	99.9mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	5V @ 100µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	30 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1380 pF @ 50 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	PQFN (5x6)
包/箱:	8-VQFN Exposed Pad

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