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IPB12CNE8N G

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零件编号 :

IPB12CNE8N G

制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET N-CH 85V 67A D2PAK
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
342834 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Oct 29 - Nov 02 2025
PDF格式
IPB12CNE8N G PDF
类型 描述
系列:OptiMOS™
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):85 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:67A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:12.9mOhm @ 67A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 83µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:64 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:4340 pF @ 40 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:125W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:D²PAK (TO-263AB)
包/箱:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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