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FDZ3N513ZT

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零件编号 :: FDZ3N513ZT

制造商: Rochester Electronics

描述: MOSFET P-CH 30V 1.1A 4WLCSP

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 25469 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Oct 26 - Oct 30 2025

PDF格式: FDZ3N513ZT PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	1.1A
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	-
rds on (max) @ id, vgs:	462mOhm @ 300mA, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	1 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):	+5.5V, -300mV
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	85 pF @ 15 V
场效应管特征:	Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）:	1W (Ta)
工作温度:	-55°C ~ 125°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	4-WLCSP (1x1)
包/箱:	4-XFBGA, WLCSP

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