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TK3R1P04PL,RQ

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零件编号 :: TK3R1P04PL,RQ

制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 12479 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Oct 30 - Nov 03 2025

PDF格式: TK3R1P04PL,RQ PDF

类型	描述
系列:	U-MOSIX-H
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	40 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	58A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	3.1mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.4V @ 500µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	60 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	4670 pF @ 20 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	87W (Tc)
工作温度:	175°C
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	DPAK
包/箱:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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