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NTB5605PT4G

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零件编号 :: NTB5605PT4G

制造商: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

描述: MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 13765 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 01 - Nov 05 2025

PDF格式: NTB5605PT4G PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	18.5A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	5V
rds on (max) @ id, vgs:	140mOhm @ 8.5A, 5V
vgs(th) (最大值) @ id:	2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 5 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1190 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	88W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	D2PAK
包/箱:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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