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ES6U2T2R

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零件编号 :

ES6U2T2R

制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
049304 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Jun 03 - Jun 07 2024
PDF格式
ES6U2T2R PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Not For New Designs
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:1.5A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:180mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:1V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:1.8 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):±10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:110 pF @ 10 V
场效应管特征:Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值):700mW (Ta)
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:6-WEMT
包/箱:SOT-563, SOT-666
ES6U2T2R 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 ES6U2T2R 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为ES6U2T2R 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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