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BSZ086P03NS3EGATMA1

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零件编号 :: BSZ086P03NS3EGATMA1

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 22949 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 01 - Nov 05 2025

PDF格式: BSZ086P03NS3EGATMA1 PDF

类型	描述
系列:	OptiMOS™
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	13.5A (Ta), 40A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	8.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	3.1V @ 105µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	57.5 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±25V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	4785 pF @ 15 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	2.1W (Ta), 69W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	PG-TSDSON-8
包/箱:	8-PowerTDFN

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