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IRFH5110TRPBF

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零件编号 :: IRFH5110TRPBF

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 14488 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 08 - Nov 12 2025

PDF格式: IRFH5110TRPBF PDF

类型	描述
系列:	HEXFET®
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	100 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	11A (Ta), 63A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	12.4mOhm @ 37A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	4V @ 100µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	72 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	3152 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	3.6W (Ta), 114W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	8-PQFN (5x6)
包/箱:	8-PowerVDFN

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