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NTTS2P02R2G

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零件编号 :

NTTS2P02R2G

制造商
Rochester Electronics
描述
MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
19960 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Oct 26 - Oct 30 2025
PDF格式
NTTS2P02R2G PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
场效应管类型:P-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:2.4A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:90mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:1.4V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:18 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):±8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:550 pF @ 16 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):780mW (Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:Micro8™
包/箱:8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
NTTS2P02R2G 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 NTTS2P02R2G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为NTTS2P02R2G 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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