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FDFM2N111

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零件编号 :: FDFM2N111

制造商: Rochester Electronics

描述: MOSFET N-CH 20V 4A MICROFET

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 22145 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Oct 28 - Nov 01 2025

PDF格式: FDFM2N111 PDF

类型	描述
系列:	PowerTrench®
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	4A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	3.8 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):	±12V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	273 pF @ 10 V
场效应管特征:	Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）:	1.7W (Ta)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	MicroFET 3x3mm
包/箱:	6-WDFN Exposed Pad

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