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NTHD4N02FT1G

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零件编号 :: NTHD4N02FT1G

制造商: Rochester Electronics

描述: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 238224 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 01 - Nov 05 2025

PDF格式: NTHD4N02FT1G PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	2.9A (Tj)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	80mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1.2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	4 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):	±12V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	300 pF @ 10 V
场效应管特征:	Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）:	910mW (Tj)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	ChipFET™
包/箱:	8-SMD, Flat Lead

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