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BSN20,215

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零件编号 :: BSN20,215

制造商: Rochester Electronics

描述: MOSFET N-CH 50V 173MA TO236AB

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 198946 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 02 - Nov 06 2025

PDF格式: BSN20,215 PDF

类型	描述
系列:	TrenchMOS™
包裹:	Bulk
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	50 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	173mA (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	15Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	1V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	25 pF @ 10 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	830mW (Tc)
工作温度:	-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	TO-236AB
包/箱:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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