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IPB50CN10NGATMA1

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零件编号 :: IPB50CN10NGATMA1

制造商: Rochester Electronics

描述: MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 13000 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 02 - Nov 06 2025

PDF格式: IPB50CN10NGATMA1 PDF

类型	描述
系列:	OptiMOS™
包裹:	Bulk
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	100 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	20A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	50mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	4V @ 20µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	16 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1.09 pF @ 50 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	44W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	PG-TO263-3-2
包/箱:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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