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NVD6415ANLT4G

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零件编号 :: NVD6415ANLT4G

制造商: Rochester Electronics

描述: 23A, 100V, 0.056OHM, N-CHANNEL,

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 17279 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Oct 25 - Oct 29 2025

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	100 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	23A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	52mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	20 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1.024 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	83W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	DPAK
包/箱:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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