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XPH6R30ANB,L1XHQ

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零件编号 :: XPH6R30ANB,L1XHQ

制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述: MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 19881 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 06 - Nov 10 2025

类型	描述
系列:	U-MOSVIII-H
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	100 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	45A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	6.3mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	3.5V @ 500µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	52 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	3240 pF @ 10 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	960mW (Ta), 132W (Tc)
工作温度:	175°C
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	8-SOP Advance (5x5)
包/箱:	8-SOIC (0.197", 5.00mm Width)

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