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BUK9E6R1-100E,127

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零件编号 :: BUK9E6R1-100E,127

制造商: Rochester Electronics

描述: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 10285 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 05 - Nov 09 2025

类型	描述
系列:	TrenchMOS™
包裹:	Tube
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	100 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	120A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	5.9mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.1V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	133 nC @ 5 V
vgs (最大值):	±10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	17.46 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	349W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	I2PAK
包/箱:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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