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PD20010-E

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零件编号 :: PD20010-E

制造商: STMicroelectronics

描述: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

目录: 晶体管 - 场效应晶体管，场效应晶体管 - 射频

可用性: 751975 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Oct 26 - Oct 30 2025

PDF格式: PD20010-E PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tube
零件状态:	Active
晶体管型:	LDMOS
频率:	2GHz
获得:	11dB
电压测试:	13.6 V
额定电流（安培）:	5A
噪声系数:	-
电流测试:	150 mA
功率输出:	10W
额定电压:	40 V
包/箱:	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
供应商设备包:	PowerSO-10RF (Formed Lead)

PD20010-E 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 PD20010-E 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为PD20010-E 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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