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GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

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EPC2101ENGRT

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零件编号 :

EPC2101ENGRT

制造商
EPC
描述
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
687868 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Jun 29 - Jul 03 2025
PDF格式
EPC2101ENGRT PDF
类型 描述
系列:*
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Discontinued at Digi-Key
场效应管类型:2 N-Channel (Half Bridge)
场效应管特征:GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压 (vdss):60V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:9.5A, 38A
rds on (max) @ id, vgs:11.5mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (最大值) @ id:2.5V @ 2mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:2.7nC @ 5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:300pF @ 30V
功率 - 最大值:-
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:Die
供应商设备包:Die
EPC2101ENGRT 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 EPC2101ENGRT 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为EPC2101ENGRT 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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