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IPG20N06S4L26ATMA1

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零件编号 :: IPG20N06S4L26ATMA1

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 228922 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 08 - Nov 12 2025

PDF格式: IPG20N06S4L26ATMA1 PDF

类型	描述
系列:	OptiMOS™
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:	Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):	60V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	20A
rds on (max) @ id, vgs:	26mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.2V @ 10µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	20nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1430pF @ 25V
功率 - 最大值:	33W
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-PowerVDFN
供应商设备包:	PG-TDSON-8-4

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