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MJD350TF

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POWER BIPOLAR TRANSISTOR

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IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

MJD350TF

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零件编号 :

MJD350TF

制造商
Rochester Electronics
描述
POWER BIPOLAR TRANSISTOR
目录
晶体管 - 双极 (bjt) - 单
可用性
23284 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
May 19 - May 23 2024
PDF格式
MJD350TF PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Active
晶体管型:PNP
电流 - 集电极 (ic) (max):500 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):300 V
vce 饱和度(最大值)@ ib, ic:-
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:30 @ 50mA, 10V
功率 - 最大值:1.56 W
频率转换:-
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包:D-Pak
MJD350TF 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 MJD350TF 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为MJD350TF 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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