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NSVDTA114EET1G

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SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

NSVDTA114EET1G

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零件编号 :

NSVDTA114EET1G

制造商
Rochester Electronics
描述
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
目录
晶体管 - 双极 (bjt) - 单，预偏置
可用性
21000 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 05 - Nov 09 2025
PDF格式
NSVDTA114EET1G PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Active
晶体管型:PNP - Pre-Biased
电流 - 集电极 (ic) (max):100 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:50 V
电阻器 - 基极 (r1):10 kOhms
电阻器 - 发射极基极 (r2):10 kOhms
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:35 @ 5mA, 10V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:500nA
频率转换:-
功率 - 最大值:200 mW
安装类型:Surface Mount
包/箱:SC-75, SOT-416
供应商设备包:SC-75, SOT-416
NSVDTA114EET1G 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 NSVDTA114EET1G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为NSVDTA114EET1G 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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