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RN49A1FE(TE85L,F)

RN49A1FE(TE85L,F)

PNP + NPN BRT, Q1BSR=2.2KΩ, Q1BE

ZEN132V130A24CE

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TVS POLYZEN SMD 13.4V

82000-820

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RN49A1FE(TE85L,F)

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零件编号 :

RN49A1FE(TE85L,F)

制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
PNP + NPN BRT, Q1BSR=2.2KΩ, Q1BE
目录
晶体管 - 双极 (bjt) - 阵列，预偏置
可用性
14000 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 07 - Nov 11 2025
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
晶体管型:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 (ic) (max):100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:50V
电阻器 - 基极 (r1):2.2kOhms, 22kOhms
电阻器 - 发射极基极 (r2):47kOhms
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 10mA, 5V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大值）:500nA
频率转换:200MHz, 250MHz
功率 - 最大值:100mW
安装类型:Surface Mount
包/箱:SOT-563, SOT-666
供应商设备包:ES6
RN49A1FE(TE85L,F) 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 RN49A1FE(TE85L,F) 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为RN49A1FE(TE85L,F) 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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