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IMD2AT108

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零件编号 :: IMD2AT108

制造商: ROHM Semiconductor

描述: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

目录: 晶体管 - 双极 (bjt) - 阵列，预偏置

可用性: 124412 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 01 - Nov 05 2025

PDF格式: IMD2AT108 PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
晶体管型:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 (ic) (max):	100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	50V
电阻器 - 基极 (r1):	22kOhms
电阻器 - 发射极基极 (r2):	22kOhms
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:	56 @ 5mA, 5V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:	300mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率转换:	250MHz
功率 - 最大值:	300mW
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	SC-74, SOT-457
供应商设备包:	SMT6

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