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RN4989(TE85L,F)

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NPN + PNP BRT, Q1BSR=47KΩ, Q1BER

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RN4989(TE85L,F)

RN4989(TE85L,F)

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零件编号 :

RN4989(TE85L,F)

制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
NPN + PNP BRT, Q1BSR=47KΩ, Q1BER
目录
晶体管 - 双极 (bjt) - 阵列，预偏置
可用性
13000 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Oct 25 - Oct 29 2025
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
晶体管型:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 (ic) (max):100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:50V
电阻器 - 基极 (r1):47kOhms
电阻器 - 发射极基极 (r2):22kOhms
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 10mA, 5V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大值）:500nA
频率转换:250MHz, 200MHz
功率 - 最大值:200mW
安装类型:Surface Mount
包/箱:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备包:US6
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