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1N5230BT/R

1N5230BT/R

DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35

1N5230BT/R

1N5230BT/R

图片仅供参考，请联系我们获取真实图片

零件编号 :

1N5230BT/R

制造商
EIC Semiconductor, Inc.
描述
DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
目录
二极管 - 齐纳 - 单
可用性
50000 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Jul 25 - Jul 29 2025
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Active
电压 - 齐纳 (nom) (vz):4.7 V
宽容:±5%
功率 - 最大值:500 mW
阻抗（最大）（zzt）:19 Ohms
电流 - 反向泄漏@ vr:5 µA @ 2 V
电压 - 正向 (vf) (max) @ if:1.1 V @ 200 mA
工作温度:175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
包/箱:DO-204AH, DO-35, Axial
供应商设备包:DO-35
1N5230BT/R 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 1N5230BT/R 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为1N5230BT/R 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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