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TH58BYG2S3HBAI6

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零件编号 :: TH58BYG2S3HBAI6

制造商: Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)

描述: IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

可用性: 10338 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Oct 30 - Nov 03 2025

类型	描述
系列:	Benand™
包裹:	Tray
零件状态:	Active
内存类型:	Non-Volatile
内存格式:	FLASH
技术:	FLASH - NAND (SLC)
内存大小:	4Gb (512M x 8)
内存接口:	Parallel
时钟频率:	-
写周期时间 - 字，页:	25ns
访问时间:	25 ns
电压 - 电源:	1.7V ~ 1.95V
工作温度:	-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	67-VFBGA
供应商设备包:	67-VFBGA (6.5x8)

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