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MEMS OSC XO 3.6864MHZ CMOS SMD
XTAL OSC VCXO 622.0800MHZ HCSL
0.5UA ULTRA LOW QUIESCENT CURREN
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | DRAM |
| 技术: | SDRAM - DDR |
| 内存大小: | 128Mb (8M x 16) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 200 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 15ns |
| 访问时间: | 700 ps |
| 电压 - 电源: | 2.3V ~ 2.7V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| 供应商设备包: | 66-TSOP II |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
RM24C256C-LMAI-TAdesto Technologies |
IC CBRAM 256KBIT I2C 1MHZ 8UDFN |
|
70V657S15BCRenesas Electronics America |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA |
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CY7C1351S-133AXCRochester Electronics |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
DS28E04S-100+TMaxim Integrated |
IC EEPROM 4KBIT 1-WIRE 16SOIC |
|
MX29F400CBTI-70GMacronix |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP |
|
M29DW323DB70N6EFlip Electronics |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP |
|
AS7C1025C-15JINAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
|
IS43LR16800G-6BLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA |
|
IS61LF51236B-7.5B3LI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA |
|
W25Q128JWFIQ TRWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 128MBIT SPI 16SOIC |
|
S29GL01GT10DHA020Cypress Semiconductor |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA |
|
71T75602S200BGRochester Electronics |
512K X 36 SYNCHRONOUS ZBT SRAM |
|
GS81302Q36AGD-300IGSI Technology |
IC SRAM 144MBIT PAR 165FPBGA |