类型 | 描述 |
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系列: | - |
包裹: | Tape & Reel (TR) |
零件状态: | Active |
内存类型: | Volatile |
内存格式: | DRAM |
技术: | SDRAM |
内存大小: | 512Mb (16M x 32) |
内存接口: | Parallel |
时钟频率: | 167 MHz |
写周期时间 - 字,页: | - |
访问时间: | 5.4 ns |
电压 - 电源: | 3V ~ 3.6V |
工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) |
供应商设备包: | 86-TSOP II |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TRMicron Technology |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA |
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CY14E256L-SZ45XCRochester Electronics |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC |
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BR24G256F-3GTE2ROHM Semiconductor |
IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOP |
|
CY7C1370DV25-200BZCRochester Electronics |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
24C04AE/PRochester Electronics |
IC EEPROM 4KBIT I2C 100KHZ 8DIP |
|
AS7C31025B-12TJINTRAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
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S70FL01GSAGBHIC13Cypress Semiconductor |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24BGA |
|
SST39SF020A-70-4C-NHE-TRoving Networks / Microchip Technology |
IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32PLCC |
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70T633S12BFI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA |
|
DS1330ABP-70+Maxim Integrated |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP |
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FM24C32UEM8Rochester Electronics |
IC EEPROM 32KBIT I2C 8SOIC |
|
M95320-DFMN6TPSTMicroelectronics |
IC EEPROM 32KBIT SPI 20MHZ 8SO |
|
AS4C64M8SC-7TINTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II |