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OSC XO 83.33MHZ 3.3V HCMOS
XTAL OSC VCXO 222.527472MHZ LVDS
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC
COMP O= .172,L= .41,W= .026
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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | MoBL® |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Asynchronous |
| 内存大小: | 256Kb (32K x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 55ns |
| 访问时间: | 55 ns |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| 供应商设备包: | 28-SOIC |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
LE25U81AQETXGRochester Electronics |
IC FLASH 8MBIT SPI 8VDFN/VSONT |
|
MT44K16M36RB-107E:BMicron Technology |
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA |
|
CY62256-70ZCTRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS |
|
70V3379S4PRFG8Renesas Electronics America |
IC SRAM 576KBIT PARALLEL 128TQFP |
|
CAT24FC64LIRochester Electronics |
IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8DIP |
|
PCF85102C-2T/03,11Rochester Electronics |
IC EEPROM 2KBIT I2C 100KHZ 8SO |
|
IS42S32160F-6TL-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II |
|
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TRMicron Technology |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA |
|
CY14E256L-SZ45XCRochester Electronics |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC |
|
BR24G256F-3GTE2ROHM Semiconductor |
IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOP |
|
CY7C1370DV25-200BZCRochester Electronics |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
24C04AE/PRochester Electronics |
IC EEPROM 4KBIT I2C 100KHZ 8DIP |
|
AS7C31025B-12TJINTRAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |