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SCTW35N65G2VAG

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零件编号 :: SCTW35N65G2VAG

制造商: STMicroelectronics

描述: SICFET N-CH 650V 45A HIP247

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 10492 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Oct 30 - Nov 03 2025

类型	描述
系列:	Automotive, AEC-Q101
包裹:	Tube
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压 (vdss):	650 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	45A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	18V, 20V
rds on (max) @ id, vgs:	67mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (最大值) @ id:	5V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	73 nC @ 20 V
vgs (最大值):	+22V, -10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1370 pF @ 400 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	240W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 200°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	HiP247™
包/箱:	TO-247-3

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