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TJ60S04M3L(T6L1,NQ

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零件编号 :: TJ60S04M3L(T6L1,NQ

制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述: MOSFET P-CH 40V 60A DPAK

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 296529 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Oct 27 - Oct 31 2025

PDF格式: TJ60S04M3L(T6L1,NQ PDF

类型	描述
系列:	U-MOSVI
包裹:	Tape & Reel (TR)
零件状态:	Active
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	40 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	60A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	6.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	3V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	125 nC @ 10 V
vgs (最大值):	+10V, -20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	6510 pF @ 10 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	90W (Tc)
工作温度:	175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	DPAK+
包/箱:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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