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零件编号 :

IPB097N08N3G

制造商
Rochester Electronics
描述
N-CHANNEL POWER MOSFET
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
305630 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
May 17 - May 21 2024
类型 描述
系列:*
包裹:Bulk
零件状态:Active
场效应管类型:-
技术:-
漏源电压 (vdss):-
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:-
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):-
rds on (max) @ id, vgs:-
vgs(th) (最大值) @ id:-
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
vgs (最大值):-
输入电容 (ciss) (max) @ vds:-
场效应管特征:-
功耗(最大值):-
工作温度:-
安装类型:-
供应商设备包:-
包/箱:-
IPB097N08N3G 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 IPB097N08N3G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为IPB097N08N3G 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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